Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD13N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD13N10TM
FQD13N10TM Hakkında
FQD13N10TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile elektrik beslemesi, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 180mOhm maksimum gate-source direnci ve 16nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Uygulamalar arasında DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri, güç yönetimi ve endüstriyel kontrol sistemleri yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok