Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD13N10TF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD13N10TF
FQD13N10TF Hakkında
FQD13N10TF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi, 10A sürekli drain akımı ve düşük RDS(on) değeri (180mΩ @ 5A, 10V) ile karakterize edilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. Gate charge değeri 16nC ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Güç yönetimi, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılan bir bileşendir. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok