Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD13N10LTF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD13N10L
FQD13N10LTF Hakkında
FQD13N10LTF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük ve orta güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. 5V ve 10V gate sürme gerilimleri için optimize edilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olan FQD13N10LTF, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Düşük gate charge (12nC @ 5V) hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok