Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD13N06TM
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD13N06TM
FQD13N06TM Hakkında
FQD13N06TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 10A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 140mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç yönetimi sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok