Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD13N06TF

MOSFET N-CH 60V 10A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD13N06TF

FQD13N06TF Hakkında

FQD13N06TF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj, 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (140mΩ @ 5A, 10V) ile ayırma ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç dağılım sınırlaması olan devrelerde, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama düzenleyicilerinde yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 10V gate sürüm voltajında optimize edilmiş tasarımı, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok