Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD12P10TM
FQD12P10TM Hakkında
FQD12P10TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V Vdss ve 9.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. TO-252 (DPak) kütüphanesi ile yüzey montajlı tasarımlar için uygundur. 290mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, şarj devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 27nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 4.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok