Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD12P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD12P10TM
FQD12P10TM-F085 Hakkında
FQD12P10TM-F085, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 9.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 290mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direncine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 50W güç tahlif kapasitesi sayesinde endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılır. MOSFET teknolojisi ile hızlı anahtarlama yapabilen bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve invertör tasarımlarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 4.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok