Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD12N20TF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD12N20TF
FQD12N20TF Hakkında
FQD12N20TF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim (Vdss) ile 9A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürücü geriliminde 280mOhm maksimum on-direnç (Rds On) ile çalışır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 55W (Tc) maksimum güç dağılım kapasitesine sahiptir. Düşük kapı yükü (23nC @ 10V) hızlı anahtarlama performansı sağlar. Switch-mode güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok