Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD12N20LTM_SN00173
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD12N20LTM
FQD12N20LTM_SN00173 Hakkında
FQD12N20LTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj (Vdss) desteği ve 9A maksimum drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. DPAK (TO-252) paketinde sunulan bu bileşen, 280mΩ RDS(on) direnci ile düşük kayıp anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda yer alabilir. Anahtarlama devrelerinde, motor kontrollerinde ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Gate charge değeri 21nC olup hızlı komütasyon gerektiren tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok