Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD12N20LTM-F085P
MOSFET N-CH 200V 9A TO252
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD12N20LTM
FQD12N20LTM-F085P Hakkında
FQD12N20LTM-F085P, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 280mΩ RDS(on) değeri ile iyi iletkenlik karakteristiğine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 55W güç tüketebilir. ±20V maksimum gate gerilimi ile çeşitli sürücü devrelerine uyumludur. Bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok