Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD12N20LTM-F085
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD12N20LTM
FQD12N20LTM-F085 Hakkında
FQD12N20LTM-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 9A kontinü drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 280mΩ maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. DPAK (TO-252) yüzey montajlı pakete sahiptir ve -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, şarj cihazları ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Part Status olarak yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok