Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD12N20LTF

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD12N20LTF

FQD12N20LTF Hakkında

FQD12N20LTF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, boost dönüştürücüler, motor kontrolü ve AC-DC adaptörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 2.5W Ta (ortam sıcaklığında) ve 55W Tc (kasa sıcaklığında) güç dağıtabilir. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumda olup yerine koyma parça önerilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok