Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD11P06TM
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD11P06
FQD11P06TM Hakkında
FQD11P06TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 9.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile çalışır. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu transistör, güç anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında 185mΩ on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışan FQD11P06TM, 38W güç disipasyonu kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük gate charge (17nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 4.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok