Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQD11P06TF

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FQD11P06

FQD11P06TF Hakkında

FQD11P06TF, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 9.4A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) Surface Mount paketi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır. 10V gate sürücü geriliminde 185mΩ tipik on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında güvenli çalışır. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve Load Switch uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 2.5W (Ta) güç tüketimi ile termal yönetim kritik olmayan tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 4.7A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok