Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD10N20LTF
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD10N20LTF
FQD10N20LTF Hakkında
FQD10N20LTF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 7.6A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu komponent, 10V gate sürücü voltajında 360mΩ maksimum on-state direnci ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) çalışabilmesi nedeniyle endüstriyel ve otomotiv alanında DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 17nC gate yükü ve düşük input kapasitansı (830pF) ile hızlı anahtarlama davranışı sağlar. Bileşen obsolete durumda olup, yeni tasarımlarda alternative modeller değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 51W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok