Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD10N20CTM_F080
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD10N20CTM
FQD10N20CTM_F080 Hakkında
FQD10N20CTM_F080, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 7.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 360mOhm'luk maksimum on-state direnci ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve koruma devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 50W maksimum güç dağıtabilir. 26nC gate yükü ve 510pF giriş kapasitesi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok