Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQD10N20CTF
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQD10N20C
FQD10N20CTF Hakkında
FQD10N20CTF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 7.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük on-direnç (Rds On: 360mΩ @ 10V) sayesinde verimli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile sunulan transistör, güç kaynağı yönetimi, motor sürücüleri, LED kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 50W maksimum güç dağılımı kapasitesi, çeşitli endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılmasını mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok