Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB9P25TM
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB9P25TM
FQB9P25TM Hakkında
FQB9P25TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 9.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Surface mount D²PAK (TO-263-3) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. 620mOhm maksimum Rds(on) değeri ve 38nC gate charge ile anahtarlama uygulamalarında verimli performans gösterir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, ısıtma elemanları ve diğer anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 120W (sıcak noktada) güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 4.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok