Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB9N50TM
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB9N50TM
FQB9N50TM Hakkında
FQB9N50TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun tasarlanmıştır. 730mOhm maksimum on-state direnci ve 36nC gate şarjı ile anahtarlama hızı ve enerji verimliliği sağlar. Sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasında değişir. Geleneksel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlı güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Üretim durumu olarak discontinued/obsolete kategorisindedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok