Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB9N50CTM
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB9N50CTM
FQB9N50CTM Hakkında
FQB9N50CTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü voltajında 800mOhm maksimum Ron değerine ulaşır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 35nC gate charge ve 1030pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. 135W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1030 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok