Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB9N50CFTM
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB9N50C
FQB9N50CFTM Hakkında
FQB9N50CFTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) kılıfta sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve yüksek voltaj güç dönüştürücülerinde kullanılır. 173W maksimum güç yayılma kapasitesi ile termal stabilite sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. RDS(on) değeri 850mOhm (10V Vgs, 4.5A Id'de) olup, düşük anahtarlama kaybı gerektiren uygulamalar için uygundur. 35nC gate charge ile hızlı kapanma/açılma davranışı gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1030 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 173W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok