Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB9N25TM
MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB9N25TM
FQB9N25TM Hakkında
FQB9N25TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilim ve 9.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Surface mount D²PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde maksimum 420mOhm on-resistance değerine sahip olup, 20nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve güç yönetim devrelerinde tercih edilen bir MOSFET çözümüdür. Komponentin Part Status obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 4.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok