Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB9N25CTM
MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB9N25CTM
FQB9N25CTM Hakkında
FQB9N25CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 8.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 430mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve yük anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 74W (Tj) güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok