Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB9N08TM
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB9N08TM
FQB9N08TM Hakkında
FQB9N08TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 9.3A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 210mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetim devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 7.7nC gate charge ve 250pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 4.65A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok