Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB9N08TM
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB9N08TM
FQB9N08TM Hakkında
FQB9N08TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 9.3A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 210mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 3.75W (Ta) ve 40W (Tc) güç dağıtım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Gate charge 7.7nC ve input capacitance 250pF değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, güç yönetimi ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Kısıtlı ömrü olan ve yerine yeni tasarımlar önerilen obsolete durumdaki bu transistör, mevcut sistemlerin bakım ve onarımında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 4.65A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok