Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB8P10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB8P10TM
FQB8P10TM Hakkında
FQB8P10TM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile sürücü uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponenttir. 530mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. TO-263 D²Pak paketinde tedarik edilir ve yüzey montajı uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok