Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB8P10TM
MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB8P10TM
FQB8P10TM Hakkında
FQB8P10TM, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 8A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 530mΩ maksimum RDS(on) değeriyle (4A, 10V koşullarında) verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem yapar. Gate charge 15nC ve input kapasitans 470pF (25V'de) özellikleriyle hızlı komutasyon gerektiren uygulamalara uygundur. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlı güç kaynakları ve ters polarite koruması gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok