Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB8N90CTM
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB8N90CTM
FQB8N90CTM Hakkında
FQB8N90CTM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 6.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.9Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç dağıtımı sağlar. Güç kaynakları, adaptörler, endüstriyel kontrol devreleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 171W güç dağıtım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 171W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 3.15A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok