Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB8N90CTM
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB8N90CTM
FQB8N90CTM Hakkında
FQB8N90CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 6.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 10V kapı sürücü geriliminde 1.9Ω RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Enerji kaynakları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü devreleri başta olmak üzere yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 171W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 3.15A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok