Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB8N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB8N60CTM
FQB8N60CTM-WS Hakkında
FQB8N60CTM-WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 7.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve elektrik motorları kontrolünde yaygın olarak tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 10V gate sürüm gerilimine sahip olan cihazda maksimum RDS(on) değeri 1.2Ω olup, endüstriyel inverter devreleri ve AC-DC dönüştürücülerde uygulanabilir. Ürün obsolete durumda olup, yeni tasarımlar için alternatif komponent değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1255 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok