Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB8N60CTM
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB8N60CTM
FQB8N60CTM Hakkında
FQB8N60CTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmaktadır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 1.2Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konverterler, motor sürücüleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 36nC gate yükü ve 1255pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1255 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok