Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB8N60CFTM
MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB8N60CFTM
FQB8N60CFTM Hakkında
FQB8N60CFTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 6.26A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 1.5Ω maksimum RdsOn değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 36 nC gate charge ve 1255 pF input kapasitansı değerleriyle hızlı ve verimli anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1255 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.13A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok