Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB8N25TM
MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB8N25TM
FQB8N25TM Hakkında
FQB8N25TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltaj ve 8A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar sağlar. 550mΩ maksimum on-state direnci, 15nC gate charge ve ±30V gate voltaj aralığı ile kontrol edilerek, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor sürücülerinde ve DC-DC konvertörlerde uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 3.13W (Ta) ile 87W (Tc) güç dissipasyonuna sahiptir. Lojik seviye gate kontrolü için 10V drive voltajında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 87W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok