Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB85N06TM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB85N06TM
FQB85N06TM Hakkında
FQB85N06TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 60V Drain-Source gerilimi ve 85A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 10mΩ @ 10V gate geriliminde on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, şarj devreler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında ve 160W (Tc) maksimum güç dağılımı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 112 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4120 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 42.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok