Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB7N80TM_AM002
MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB7N80TM
FQB7N80TM_AM002 Hakkında
FQB7N80TM_AM002, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source voltajı ve 6.6A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V drive voltajında 1.5Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve endüstrial uygulamalarda tercih edilir. 52nC gate charge ve 1850pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Ürün statüsü Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok