Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB7N65CTM
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB7N65CTM
FQB7N65CTM Hakkında
FQB7N65CTM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim (Vdss) ve 7A sürekli drain akımı (Id) ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montajı paketinde sunulur. 1.4Ω maksimum on-state direnç (Rds On) ile verimli güç iletimini sağlar. Gate charge değeri 36nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol, enerji dönüşümü, güç yönetimi ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1245 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 173W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok