Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB7N60TM-WS
MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB7N60TM
FQB7N60TM-WS Hakkında
FQB7N60TM-WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 7.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 1Ω maksimum RDS(On) değeri düşük enerji kaybını sağlar. D²Pak (TO-263) SMD paketinde sunulan transistör, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. ±30V gate voltajı toleransı ile geniş uyumluluğu vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 142W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok