Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB7N60TM-WS
FQB7N60 - MOSFET N-CHANNEL SINGL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB7N60
FQB7N60TM-WS Hakkında
FQB7N60TM-WS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim dayanımı ve 7.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. 1Ω maksimum on-state direnci (Rds On) ve 38nC gate charge değerleri ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel denetim uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arası geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 3.13W güç tüketimi kapasitesi ile kompakt tasarımlarda yer kazandırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 142W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok