Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB7N60TM

MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB7N60TM

FQB7N60TM Hakkında

FQB7N60TM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 7.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 1Ohm (10V, 3.7A'de) on-resistance değeri ile güç elektronik uygulamalarında düşük ısı kaybı sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paket türü, kompakt PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sıcaklığına sahip olan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, konvertörlerde ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.7A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok