Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB7N30TM

MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB7N30TM

FQB7N30TM Hakkında

FQB7N30TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 300V drain-source voltajına ve 7A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, anahtarlama ve güç kontrolü uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) SMD paketinde sunulan transistör, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS) ve koruma devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 700mΩ maksimum gate-source direnci ve 17nC gate charge değerleriyle hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok