Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB7N30TM
MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB7N30TM
FQB7N30TM Hakkında
FQB7N30TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürücü geriliminde 700mΩ RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük gate yükü (17nC @ 10V) özellikleriyle anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Maksimum güç dağılımı 85W (Tc)'dir. Bileşen obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok