Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB7N20TM

MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB7N20TM

FQB7N20TM Hakkında

FQB7N20TM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj (Vdss) kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 6.6A sürekli drain akımı ve 690mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç anahtarlama işlemlerinde verimli çalışır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol devrelerinde, motor sürücülerinde, güç kaynakları ve enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Gate yükü (Qg) 10nC ile düşük sürücü gereksinimi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 3.3A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok