Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB7N20LTM

MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB7N20L

FQB7N20LTM Hakkında

FQB7N20LTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 6.5A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketlemesi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 750mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrolü sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sunar. 10V gate sürüş geriliminde optimize edilmiştir. Ürün üretimi durdurulmuş olup, mevcut stoklar için uygun bir alternatif belirlenmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 3.25A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok