Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB7N10TM
MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB7N10TM
FQB7N10TM Hakkında
FQB7N10TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi, 7.3A sürekli drain akımı ve 350mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen transistör, 40W (soğutucuda ölçülen) güç yayılımı kapasitesine sahiptir. TTM serisi olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 3.65A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok