Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB7N10TM
MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB7N10TM
FQB7N10TM Hakkında
FQB7N10TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 7.3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 350mOhm maksimum On-direnç (Rds On) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate şarj 7.5nC ve giriş kapasitanası 250pF karakteristiğindedir. Motor kontrolleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu bileşen üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 3.65A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok