Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB7N10LTM
MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB7N10L
FQB7N10LTM Hakkında
FQB7N10LTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 7.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount D²PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, 5V ve 10V gate sürücü geriliminde 350mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. SMPS, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 40W maksimum güç tüketimi (Tc) ile termal yönetimi gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 3.65A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok