Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB70N10TM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB70N10TM
FQB70N10TM Hakkında
FQB70N10TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 57A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 23mOhm on-state direnç (Rds On) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konverterler ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 57A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 28.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok