Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB6N90TM_AM002
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB6N90TM
FQB6N90TM_AM002 Hakkında
FQB6N90TM_AM002, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drenaj-kaynak gerilimi ve 5.8A sürekli drenaj akımına sahiptir. 1.9Ω Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, şarj devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 52nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1880 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok