Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB6N80TM
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB6N80TM
FQB6N80TM Hakkında
FQB6N80TM, onsemi tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. 5.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. D²Pak (TO-263-3) yüzeye monte paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun bir çözüm sunar. 1.95Ohm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 31nC olarak belirtilmiştir. Son satın alma durumunda olan bu bileşen, yüksek voltaj geçiş uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95Ohm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok