Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB6N70TM

MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB6N70TM

FQB6N70TM Hakkında

FQB6N70TM, onsemi tarafından üretilen 700V N-Channel MOSFET transistörüdür. 6.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç denetimi görevlerinde kullanılır. 1.5Ω (maksimum) gate-source direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, inverted konverterler ve anahtarlamalı güç kaynaklarında yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 142W (Tc) maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Part status obsolete olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok